SK 海力士（SK Hynix）近日宣布第八代 3D NAND 的詳細信息，堆疊層數超過 300 層，預估將于 2024 年年底或者 2025 年年初上市發售。
IT之家從 SK 海力士官方公告中獲悉，第 8 代 3D NAND 堆疊成熟超過 300 層，容量為 1Tb（128GB），具有三級單元和超過 20Gb / mm^2 的位密度（bit density）。
該芯片的頁容量（page size）為 16KB，擁有 4 個 planes，接口傳輸速度為 2400MT / s，最高吞吐量為 194MB/s（比第 7 代 238 層 3D NAND 快 18%）。
新 NAND 的位密度增加近一倍，意味著將顯著提高新制造節點的每晶圓生產率，也將降低 SK 海力士的成本，只是尚不清楚具體程度。
原標題：SK 海力士公告第8代3D NAND：堆疊層數超過 300 層
